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元件参数资料
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参数目录38850
> SI4688DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
型号:
SI4688DY-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI4688DY-T1-GE3 PDF
产品目录绘图
DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
11 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
38nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1580pF @ 15V
功率 - 最大
1.4W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOICN
包装
标准包装
产品目录页面
1662 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SI4688DY-T1-GE3DKR
查看SI4688DY-T1-GE3代理商
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